载流子复合效率衰减? 高温下非辐射复合加剧，光子产出率下降（每升高10℃，光效降幅＞3%） 芯片缺陷在电流冲击下增殖，导致漏电流指数级增长
材料热膨胀失配? 芯片（CTE 4.5×10??/℃）与支架（铜CTE 16.5×10??/℃）热膨胀系数差异 温度循环中产生剪切应力，导致金线疲劳断裂
界面化学腐蚀? 水汽通过环氧树脂渗透，与银电极反应生成不导电氧化物 洲创实业采用高阻隔性硅胶封装，透湿率＜0.01g·mm/m2·day
- 芯片筛选技术：通过CV测试剔除漏电流＞1nA的芯片
- 焊接优化：采用共晶焊工艺（空洞率＜5%），热阻较银胶降低40%
- 加速测试模型：基于阿伦尼乌斯方程推导寿命预测公式，误差＜15%
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