◆ WEM-2000 系列用于研究开发、试制、小批量生产等用途，提供直接成像曝光。
◆ 产品可应用于平 MEMS 平板显示、三代半导体、高密度封装等微加工领域。
◆ 直写式曝光不需要使用光掩模，将项目开发成本和市场时间差降至最低。
◆ 可根据客户需要定制指标（基板尺寸最小线宽、激光波长、EFEM 等）。
关键技术指标（Writing Performance） | 规格（Specification） |
最小线宽线距 Minimum Lines And Spaces（*１） | 2 μm |
最小特征尺寸 Minimum Feature Size | 1 μm |
线宽均匀性（3б）CD Uniformity（3б） | 500 nm |
边缘粗糙度（3б）Edge Roughness（3б） | 150 nm |
正面套刻精度（3б）2nd Layer Alignment（3б） | 500 nm |
曝光效率 Maximum Write Speed（*2） | 1200 mm2 /min |
系统特性（System Features） | 规格（Specification） |
光源 Light Source | 405 nm or 375 nm |
最大基底尺寸 Maximum Substrate Size | 200*200 mm |
基底厚度 Substrate Thickness | 0.1-5 mm |
自动聚焦范围 Autofocus Dynamic Range | 150 μm |
背面套刻 Alignment | 可选配（optional） |
自动化 Automation | 可选配（EFEM optional） |
外形尺寸（System dimensions） | 规格（Specification） |
长*宽*高 Height*width*depth | 1800mm*1350mm*2000mm |
重量 Weight | 1500kg |
安装环境（Facility） | 规格（Specification） |
电 Electrical | 220V 50HZ 10KW |
* １最小解析据光致抗蚀剂、显影条件等而不同。
Minimum lines and spaces varies according to photoresist, development conditions.
* 2 曝光扫描速度和节拍时间取决于曝光模式。表中记载的数字是最快和最短的值。
Writer speed decided by exposure mode. Figure in table represents the fastest and shortest value.
一、用于半导体行业大批量生产的高精度光刻解决方案CI-150A／CI-200A
主要用途
该设备是专门针对各大院校及科研单位研发使用的一种手动精密光刻机，主要用于各种中小规模半导体元器件、光电器件等产品的研发及生产的使用。
技术参数
项目 | 参数 | 项目 | 参数 |
*曝光方式 | 接触式曝光 | *视觉范围（FOV） | φ20mm |
*曝光类型 | 单面 | *工作台运动范围 | X、Y 调节：±12.5mm； Z 调节：10mm；Q 向调节：± 5° |
*曝光光面积 | 105*105mm | *套刻精度 | 2um |
*照度均匀性 | >95% | *掩膜版尺寸 | ≤127*127mm |
*曝光强度 | 0-25mw／c ㎡（高于 25mw／c ㎡可定制） | *基片尺寸 | ≤φ102mm |
*紫外光中心波长 | 405nm／365nm（出货默认 405nm） | 基片厚度 | 0.4-1.6mm |
*电源供应器 | DC 电源模块 | *曝光定时 | 0-999.9S 可调节 |
*光源 | UV LED | *压力值 | 0-500g 可设定（达到设定值可警报提示） |
*光源寿命 | ≥20,000H |
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