提供再制造或全新接触式、接近式光刻机（aligner）。
主要功能：
实现光刻胶的曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在光刻胶上制作出亚微米（＞0.8um）图形结构。
Aligner光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。
技术指标：
光源波长：220nm~436nm。
最小线宽：0.8-1.5um。
晶圆尺寸：2-6英寸或碎片。
曝光模式：硬接触模式、真空接触模式、
低真空接触模式、软接触模式、接近式接触模式。
对准模式：正面对准和背面对准。
提供再制造或全新接触式、接近式光刻机（aligner）。
主要功能：
实现光刻胶的曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在光刻胶上制作出亚微米（＞0.8um）图形结构。
Aligner光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。
技术指标：
光源波长：220nm~436nm。
最小线宽：0.8-1.5um。
晶圆尺寸：2-6英寸或碎片。
曝光模式：硬接触模式、真空接触模式、
低真空接触模式、软接触模式、接近式接触模式。
对准模式：正面对准和背面对准。